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Diodes MIMD10A Manual do Utilizador Página 2

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DS30381 Rev. 8 - 2
2 of 4
www.diodes.com
MIMD10A
© Diodes Incorporated
NEW PRODUCT
Electrical Characteristics PNP Section Tr1 @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
V
l(off)
-0.3
⎯ ⎯ V
CC
= -5V, I
O
= -100μA
Input Voltage
V
l(on)
⎯ ⎯
-1.5
V
V
O
= 0.3, I
O
= -100mA
Output Voltage
V
O(on)
⎯
-0.1 -0.3 V
I
O
= -100mA/-5mA
Input Current
I
l
⎯ ⎯
-25 mA
V
I
= -2V
Output Current
I
O(off)
⎯ ⎯
-0.5
μA
V
CC
= -50V, V
I
= 0V
DC Current Gain
G
l
68
⎯ ⎯ ⎯
⎯
Gain-Bandwidth Product*
f
T
⎯
200
⎯
MHz
V
CE
= -10V, I
E
= -50mA, f = 100MHz
* Transistor - For Reference Only
Electrical Characteristics NPN Section Tr2 @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CBO
50
⎯ ⎯
V
I
C
= 50μA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CEO
50
⎯ ⎯
V
I
C
= 1mA
Emitter-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
5
⎯ ⎯
V
I
E
= 50μA
Collector Cutoff Current
I
CBO
⎯ ⎯
0.5
μA
V
CB
= 50V
Emitter Cutoff Current
I
EBO
⎯ ⎯
0.5
μA
V
EB
= 4V
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
⎯ ⎯
0.3 V
I
C
/I
B
= 10mA / 1.0mA
DC Current Transfer Ratio
h
FE
100 250 600
⎯
I
C
= 1mA, V
CE
= 5V
Gain-Bandwidth Product*
f
T
⎯
250
⎯
MHz
V
CE
= 10V, I
E
= -5mA, f = 100MHz
* Transistor - For Reference Only
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